國際半導體電荷存儲技能中，“寫入速度”與“非易失性”兩種功能一直難以兼得。記者日前從復旦大學微電子學院得悉，該校張衛、周鵬教授團隊研制出具有顛覆性的二維半導體準非易失性存儲原型器材，創始了第三類存儲技能，不只能夠完成“內存級”的數據讀寫速度，還能夠按需定制存儲器的數據存儲周期。

　　據張衛介紹，現在半導體電荷存儲技能主要有兩類，第一類是易失性存儲，如計算機內存，數據寫入僅需幾納秒左右，但掉電后數據會當即消失；第二類對錯易失性存儲，如U盤，數據寫入需求幾微秒到幾十微秒，但無需額定能量可保存10年左右。

　　為了研制出兩種功能可兼得的新式電荷存儲技能，該團隊創新性地挑選了多重二維半導體資料，堆疊構成了半浮柵結構晶體管：二氧化鉬和二硒化鎢像是一道順手可關的門，電子易進難出，用于控制電荷運送；氮化硼作為絕緣層，像是一面密不透風的墻，使得電子難以進出；而二硫化鉿作為存儲層，用以保存數據。周鵬說，只需調理“門”和“墻”的份額，就能夠完成對“寫入速度”和“非易失性”的調控。

　　此次研制的第三代電荷存儲技能，寫入速度比現在U盤快1萬倍，數據改寫時刻是內存技能的156倍，而且具有杰出的調控性，能夠完成按需“裁剪”數據10秒至10年的保存周期。這種全新特性不只能夠極大下降高速內存的存儲功耗，同時還能夠完成數據有效期截止后天然消失，在特別應用場景解決了保密性和傳輸的對立。

　　最重要的是，二維資料能夠獲得單層的具有完美界面特性的原子級別晶體，這對集成電路器材進一步微縮并進步集成度、穩定性以及開發新式存儲器都有著巨大潛力，是下降存儲器功耗和進步集成度的簇新途徑。基于二維半導體的準非易失性存儲器可在大標準組成技能根底上完成高密度集成，為未來的新式計算機奠定根底。